PlasmaPro 100 ALE 為新一代半導體裝置提供精確的蝕刻製程控制。該系統的數位/循環蝕刻製程專為 GaN HEMT 應用的凹槽蝕刻和奈米級層蝕刻等製程而設計，可提供低損傷、光滑的表面。

PlasmaPro 100 PECVD 系統專門設計用於生產具有出色均勻性的高品質薄膜，並可控制薄膜特性，例如折射率、應力、電氣特性和濕化學蝕刻速率。我們的尖端等離子體增強 CVD 系統適用於介電膜鈍化（例如 SiO2、SixNy）、碳化矽、非晶矽、硬光罩沉積和抗反射塗層。

Atomfab 是市場上最快的遠端等離子體生產 ALD 系統。 Atomfab PE-ALD 系統為 GaN 功率和 RF 裝置提供快速、低損傷、低 CoO 產量的等離子 ALD 處理。

此 ICPCVD 製程模組旨在在低生長溫度下生產高品質薄膜，透過高密度遠端等離子體實現卓越的薄膜質量，同時降低基材損壞。

我們的離子束蝕刻 (IBE) 和沈積 (IBD) 系統是高品質材料加工的熱門選擇。我們的系統具有靈活的硬體選項，包括開放式裝載、單基板裝載鎖和盒到盒。系統規格與應用緊密結合，從而實現更快且可重複的製程結果。