【技術｜以離子佈植研製成長於藍寶石基板之N型β-Ga2O3 磊晶膜及其元件特性之研究】 半導體科技的浪潮正在翻轉未來！傳統的矽基元件已經無法滿足當今高速、高功率的應用需求。現在，第四代寬能隙氧化物半導體——β-Ga2O3，將為電動車、5G、6G通訊等領域帶來革命性的變革！ 🌟第四代寬能隙氧化物半導體的崛起 第四代寬能隙氧化物(β-Ga2O3)擁有高達4.8電子伏特的能隙，相較於碳化矽(...